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Neuer Flaggschiffprozessor: Qualcomm stellt Snapdragon 835 vor

qualcomm-snapdragon

Qualcomm hat seinen neuen Flaggschiff SoC (Ein-Chip-System) vorgestellt. Der Snapdragon 835 ist in Zusammenarbeit mit Samsung entstanden und wurde im 10 nm FinFET Verfahren hergestellt (FinFET erlaubt effizienteres Prozessordesign). Laut Qualcomm werde der Snapdragon 835 „mobile Technik revolutionieren“.

10 nm (1/1000 Haarsträhne) bedeuten zum Einen weniger Energieverbrauch, da der Prozessor kleiner als sein Vorgänger ist (SD 820 und 821). Zum Anderen holt Qualcomm aus dem winzigen Chip auch noch mehr Power heraus als bisher. So soll der SD 835 27% mehr Leistung bei 40% weniger Stromverbrauch produzieren als der SD 821.

Der Qualcomm Snapdragon 820/821 wurde noch im 14 nm FinFET Verfahren gefertigt und hat somit die gleiche Größe wie Intels Kaby Lake Prozessoren (7.Generation). 10 nm werden von Intel erst mit dem Nachfolger Cannonlake erwartet. Da Kaby Lake aber noch immer im Auslieferungsprozess steckt, wird es wohl noch eine Weile dauern, bis der Nachfolger erscheint.

Die Prozessoren der Lumias 950 und 950 XL sind übrigens im 20 nm Verfahren gefertigt.

Qualcomm möchts den Snapdragon 835 in der erste Häfte des Jahres 2017 auf den Markt bringen.

Die Zahlen, die Qualcomm liefert sind beeindruckend. Was meint ihr?


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SpeckBrettl
Mitglied

„……aber kann er auch x86 flüssig emulieren?“ LG Intel

Luk
Gast
Luk

Bei der Strukturbreite muss man aufpassen. Jeder Hersteller misst da ein wenig Anders. Das 20nm Verfahren von Samsung ist z.b. mit dem 22nm Verfahren von Intel vergleichbar. Und auch sondt gibt es große unterschiede. Der Fortschritt des Herstellungsverfahren bei Skylake war größer als bei Broadwell obwohl sich die Skrukturbreite nicht geändert hat.

Firefly
Mitglied

Wie kann man denn bei festgelegten Einheiten unterschiedlich messen!? 20nm sind 20nm 😉

Dany666
Mitglied

Was bedeutet 1/1000 Haarsträhne? Eine Strähne besteht doch aus mehreren Haaren bzw ist ein Haarbündel….

Scaver
Mitglied

Richtig. Vermutlich falsch ausgedrückt. Gemeint ist sicher ein einzelnes Haar.

Blade VorteXx
Mitglied

Hat Intel nicht angekündigt 10nm auszulassen und direkt auf 7nm umzustellen?

Herron
Gast

Wenn Samsung die Finger drin hat, könnte das schneller abfackeln als es auf den Markt kommt. Immerhin war eine zu geringe Fertigungsgröße die Ursache für die bekannten Akkubrände.

Scaver
Mitglied

Bei der Trennschicht von Anode und Katode im Akku kann das durchaus passieren. Bei einem Prozessor aber nicht!

hansra1
Mitglied

Super nur weiter so, weniger Energie bei mehr Leistung, schade das er nicht in einem Lumina gebaut wird.

Scaver
Mitglied

Nur, weil es keine Lumias mehr geben wird. Warten wir mal auf die Nachfolger Ende 2017!

Sigi
WU Team

Ja, abwarten. Meines Wissens hat MS nur gesagt, dass 2016 kein „Mobile“-Jahr sein wird. Das schließt nicht aus, dass 2017 ein klassisches Lumia kommt. Auch hat MS noch nicht ausgeschlossen, dass in zukünftigen Smartphones von ihnen dieser Snapdragen verwendet wird.

Vicky
Mitglied

Frank

AndreasIndelicato
Mitglied

Technisch Innovation ist dann, dass man die Handy zum Bomben abwurf in Kriegsgebieten nehmen kann, Präzisere Effizienz nennt ich das xD

Ne mal spaß beiseite… Mal schauen was das ganze bringt.. Die Akkus dürften dann ne Ecke länger halten. Das freut mich unheimlich.

melexis
Mitglied

Die Vorteile der verbesserte Hardware werden durch die unfähigen MS Programmierer als auch durch weiter zunehmenden Hintergrundschnüffelleien schnell wieder aufgefressen, mach Dir also keine Hoffnungen. Siehe Umstieg von WP8 auf W10M… Mein L930 ist gefühlt drei Mal so schnell wie mein L950.

Sigi
WU Team

Schön langsam ist das Thema Samsung mit Explosionen, in welchem Zusammenhang auch immer, schon seeeeehhhhrrrr abgegriffen.

AndreasIndelicato
Mitglied

Das war ein scherz oder bist jemand von der militanten Nichtversteherfront?

smtti23
Mitglied

Es wurde aber schon öfters behauptet wenn die Fertigungsgrößen noch kleiner werden führt das zu fehlern, aufgrund des geringen Abstandes kann die spannung auf andere Transistoren ungewollt überspringen .

Sigi
WU Team

Ja, das ist richtig. Das Problem existiert jedoch schon seit es überhaupt Transistoren gibt. Je kleiner, desto exakter müssen die Grenzen des technisch Machbaren eingehalten werden. Z.B. durch exakte Spannungen ohne Spannungsspitzen, allgemein niedrigere und temperaturabhängige Spannungen. Alles ein Thema vom Aufwand/Nutzen-Verhältniss. Aber es spielen viele weitere physikalische Gegebenheiten mit hinein, wie parasitäre Kapazitäten…

backpflaune
Mitglied

Kommt ja dann passend für ein Surface Phone mit ARM 😉

Sagittarier
Mitglied

Also für mein nächstes Handy, ende 2017

droda
Mitglied

Wenn er mit Samsung produziert wird, dann geht der mal gar nicht. Hoffe nur, dass Microsoft und Intel in 2017 Smartphone-mäßig noch etwas auf die Reihe kriegen…

NLTL
Mitglied

Etwas falsch interpretiert, behaupte ich mal. Original Text: „…. Samsung’s new 10nm FinFET process, for instance, allows up to a 30 percent increase in area efficiency with a 27 percent improvement in performance OR up to 40 percent less power consumption compared to the previous version. ……“ Nicht 27% mehr Leistung BEI 40% weniger Verbrauch sondern ODER! Ausser dem bezieht sich die Aussage auf den Fertigungs-Prozesses, nicht auf den Prozessor/GPU.